族化合物半导体的能带结构.pptxVIP

会计学; 各种化合物的导带电子有效质量不同. 1. 平均原子序数高的化合物中(能带变形），有效质量较小。 各种化合物的重空穴有效质量却相差很少。 2. 原子序数较高的化合物，禁带宽度较窄，在禁带宽度最窄的III—V族化合物中，由于价带和导带的相互作用使得导带底不呈抛物线形状。; 1．锑化铟的能带结构 锑化铟的导带极小值位于?k＝0处，极小位附近的等能面是球形的。但是，极小值处E（k）曲线的曲率很大，因而导带底电子有效质量很小，室温下mn*＝0. 0135m0。随着能量的增加，曲率迅速下降，因而能带是非抛物线形的。 ; 锑化铟的价带包含三个能带， 一个重空穴带V1， 一个轻空穴带V2 由自旋-轨道耦合所分裂出来的第三个能带V3， 20K时重空穴有效质量沿[111]，[110]，[100]方向分别为0.44m0，0.42m0和0.32m0，轻空穴有效质量为0.0160m0。 重空穴带的极大值偏离布里渊区中心，约为布里渊区中心至布里渊区边界距离的0.3%，其能值比k=0处的能量高10-4eV，由于这两个值很小，因而可以认为价带极大值位于k=0， 价带的自旋-轨道裂距约为0.9eV。 室温下禁带宽度为0.18eV，0K时0.2355eV。 可以看出，锑化铟的能带结构和最简单的能带模型很相似，能带极值都位于布里渊区中心。 ;2、砷化镓的能带结构 砷化镓的导带极小值也位于k=0处，等能面是球面，导带底电子有效质量是各向同性的，其值为0.067mo。在 [111]和[100]方向布里渊区边界L 和X还各存在另一个极小值，电子有效质量：0.55mo和0.85mo。 L能量比布里渊区中心极小值高出0.29eV。 ; 砷化镓价带也具有一个重空穴带V1，一个轻空穴带V2和由于自旋-轨道耦合分裂出来的第三个能带V3，重空穴带极大值也稍许偏离布里渊区中心。 重空穴有效质量为0.45m0，轻空穴有效质量为0.082m0，第三个能带裂距为0.34eV。 室温下禁带宽度为1.424eV，0K时为1.519eV，室温附近禁带宽度随温度线性变化， Eg(T)= Eg(0)-αT2/(T+β) ;3、磷化镓和磷化铟的能带结构 磷化镓和磷化铟也都是具有闪锌矿型结构的III-V族化合物半导体，它们的价带极大值也位于k=0处。 磷化镓导带极小值不在布里渊区中心，而在100方向，电子有效质量为0.35mo，重空穴和轻空穴有效质量分别为0.86m0和0.14m0， 室温下禁带宽度为2.26eV，dEg/dT= -5.4x10-4eV/K。 磷化铟导带极小值位于k=0，电子有效质量为0.077m0，重空穴和轻空穴有效质量分别为0.8m0和0.012m0，室温下禁带宽度为1.34eV，dEg/dT= -2.9x10-4eV/K。 ;4、混合晶体的能带结构 III-V族化合物之间也都能形成连续固溶体，构成混合晶体. 它们的能带结构随合金成分的变化而连续变化，这一重要的性质在半导体技术上已获得广泛的应用。 砷化镓和磷化镓合成后可以制成磷砷化镓混合晶体，形成三元化合物半导体，其化学分子式可写成x称为混晶比。 能带结构随组分x的不同而不同: 实验发现，当0≤x≤0.53时，其能带结构与砷化镓类似; 当0.53≤x≤1时，其能带结构成磷化镓。; 除了三元化合物外，人们更进一步制成由III-V族化合物构成的四元化合物混合晶体。例如，在磷化铟衬底上可制备出四元化合物，在GaAs衬底上制备出四元化合物，图1-28和1-29分别为和的禁带宽度和晶格常数随组分x、y的变化关系(Ga1-xInxAs1-yPy) 。 实线为等禁带宽度线，虚线为等晶格常数线， 图中阴影部分表示在该组分内材料属于间接带隙半导体。; 间接带隙半导体:导带和价带的极值处于不同的k空间，跳跃是间接的。 间接跳跃过程除了发射光子还有声子。 问题：硅，锗，砷化镓是什么类型的半导体？; 人们已利用混合晶体的禁带宽度随组分变化的特性制备发光或激光器件。 光二极管(LED)，当x=0.38~0.40时，室温下禁带宽度在1.84~1.94eV范围，其能带结构类似砷化镓，当导带电子与价带空穴复合时可以发出波长在6400~6800A范围