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泓域咨询/白山关于成立功率半导体设计公司可行性报告
白山关于成立功率半导体设计公司
可行性报告
xxx（集团）有限公司
报告说明
目前，全球半导体衬底材料已经发展到第三代，包括以硅（Si）、锗（Ge）等为代表的第一代元素半导体材料，以砷化镓（GaAs）等为代表的第二代化合物半导体材料，以及以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代宽禁带半导体材料。新材料进一步改善功率半导体的性能，但整体来看，硅基材料的功率半导体产品仍是市场主流。
根据谨慎财务估算，项目总投资1061.40万元，其中：建设投资603.40万元，占项目总投资的56.85%；建设期利息16.69万元，占项目总
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