原创力文档- 76
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- 2022-12-13 发布于四川
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本实用新型涉及二极管VF测试技术，公开了一种碳化硅MOSFET体二极管VF可靠性的测试电路及测试设备，包括n组相互串联的测试单元，电流源；其测试单元包括碳化硅MOSFET体二极管，分别为Q1、Q2、…Qn；Q1的D端与电流源的负极连接，Q1的S端与Q2的D端连接，Q2的S端与Q3的D端连接，依次，Qn‑1的S端与Qn的D端连接，Qn的S端与电流源的正极连接。通过碳化硅MOSFET体二极管D端与电流源的负极连接；碳化硅MOSFET体二极管S端与电流源的正极连接；隔离电源模块负压加在MOSFET的G
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218003621 U
(45)授权公告日 2022.12.09
(21)申请号 202221636242.6
(22)申请日 2022.06.27
(73)专利权人 派恩杰半导体（杭州）有限公司
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