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IC工艺薄膜物理淀积技术会计学第1页/共54页Metal Layers in a ChipPassivation layerBonding pad metalILD-6ILD-5 M-4ILD-4M-3ILD-3M-2ILD-2M-1ViaILD-1Poly gateLI oxideLI metalp+p+n+n+p+n+STIn-wellp-wellp- Epitaxial layerp+ Silicon substrate第2页/共54页Multilevel Metallization on a ULSI Wafer第3页/共54页Copper Metallization第4页/共54页9.1.薄膜沉积的特点：pages 296微电子技术中的薄膜种类繁多，一般都不能（也不需要）形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的应力足够小）。其生长的过程大致为：晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。第5页/共54页第6页/共54页第7页/共54页晶粒自由能对成核的影响： 临界半径—表面能的约束界面亲和能对成核的影响： 浸润湿夹角—界面键的形成晶粒间界的形成与多晶膜的生长：杂质的影响：非晶膜的形成：（Si非晶膜、多晶膜和外延层的形成）第8页/共54页9.2.几种物理沉积（PVD）方法 1）热阻加热蒸发镀膜 常规真空系统：（Ch 12） 第9页/共54页油扩散泵原理:(P.245)第10页/共54页无油真空系统： 第11页/共54页分子泵第12页/共54页低温吸附泵第13页/共54页第14页/共54页溅射离子泵（Ti升华泵）第15页/共54页真空的测量 9.4, 热偶规 电离规第16页/共54页坩埚: 与蒸发材料的粘润性和互溶度 钨、刚玉等 P302~303第17页/共54页第18页/共54页第19页/共54页第20页/共54页优点与缺点： 系统简单、可蒸镀各种材料、易做厚膜 纯度不够高、镀膜速率不易控制、均匀性较差（星型夹具）平衡蒸气压：合金与化合物蒸发：P305无分解蒸发、分解蒸发；不同蒸气压的蒸发膜厚的实时测量： 石英振荡法（原理？） 精度可达~0.01?第21页/共54页第22页/共54页第23页/共54页Wafer carrierEvaporating metalProcess chamber(bell jar)CrucibleHi-Vac valveRoughingpumpHi-Vac pump第24页/共54页Simple Evaporator第25页/共54页2）电子束蒸发： 纯度高 镀膜速率易控制诱生软x射线： 辐照损伤问题第26页/共54页3）溅射沉积 (10.5)(12.6~12.8)直流溅射Matching networkRF generatorBlocking capacitorElectrodeMicrocontroller operator interfaceGas flow controllerTargetSubstratePressure controllerChuckGas panelTurbopumpExhaustRoughingpumpArgon第27页/共54页RF Sputtering System第28页/共54页射频溅射： 解决绝缘靶材料上的电荷堆积问题和合金材料的组分问题等离子体溅射：低压（电压、气压）磁控溅射：提高离化率、分离非离化离子优点：？工艺： （组分的控制，界面态）台阶覆盖： （301，12.10 Morphology and Step Coverage）第29页/共54页(台阶的应用)第30页/共54页9.3. PVD的主要应用PVD技术主要用于金属膜的制备 （也可以用于非金属薄膜材料的生长）主要金属材料 连线材料（铝Al、铝铜合金、铜Cu） 阻挡层金属（W、Ti、Mo、Ta等） 硅化物（Pt、W、Ti等） 金属填充物（W等） 其它*真空度对生长膜质量的影响**材料纯度对生长膜质量的影响***技术方法对生长膜质量的影响第31页/共54页Silicon and Select Wafer Fab Metals (at 20°C)第32页/共54页9.4. 器件中的金属膜 在器件中的作用：—欧姆电极、连线、肖特基接触欧姆接触与肖特基接触（半导体物理）1、金属功函数与半导体亲合能对金—半接触时的界面空间电荷区的影响 阻挡层和反阻挡层的形成2、界面态的影响？ 费米能级钉扎3、隧穿效应4、与半导体载流子浓度的关系第33页/共54页5、实现低欧姆接触的途径 高掺杂（正面） 粗表面（背面） 合金（双面）：合金层和扩散层 表面态的形成6、实现肖特基接触的途径 表