模拟电子书后习题答案第4章.pdfVIP

【4-1】填空： 1．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因 而它又称做 器件。 2 ．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。 1. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。 2. 电压，电流。 【4-2】两个场效应管的转移特性曲线分别如图4.7.1 (a)、(b)所示，分别确定这两个场效应管的类型，并 求其主要参数（开启电压或夹断电压，低频跨导）。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。 (a) (b) 图4.7.1 题4-2特性曲线 ： （a）P沟道增强型MOS管，开启电压UGS （th）＝－2V ，IDO= -1mA 在工作点（UGS ＝－5V ， ID ＝－2.25mA）处， gm （b ）N沟道耗尽型MOSFET ，夹断电压 ， 在工作点（UGS ＝－2V ， ID ＝1mA）处， 【4-3】已知图4.7.2(a)所示电路中场效应管的转移特性如图4.7.2(b)所示。求解电路的Q点和Au。 (a) (b) 图4.7.2 题4-3电路图解： 由图4.3(b)转移特性曲线可得：UGS(th)=2V ，过点(6,4)和(4,1) 代入 ，可得 =1mA IDO 由图4.3(a)电路图可得：UGSQ=3V UDSQ VDD-IDQRd=15V-0.25mA10 kΩ=12.5V Au=-gmRd=-0.5mS·10 kΩ=-5 【4-4】电路如图4.7.3所示，设MOS管的参数为UGS(th)=1V ，IDO =500uA。电路参数为VDD=5V ，－ VSS －5V ，Rd=10kΩ ，R=0.5kΩ ，IDQ=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10，试确定Rg1和 Rg2的值。 图4.7.3 题4-4电路图 图4.7.4 题4-6电路图 解： ，即0.5=0.5(uGS/1-1)2 由此可得：uGS=2V 流过Rg1、Rg2的电流约为0.05mA ，即有 Rg1+Rg2=10/0.05kΩ=200 kΩ 于是可得：Rg2=45 kΩ ，Rg1=155 kΩ 【4-5】电路如图4.7.3所示，已知Rd=10kΩ ，Rs R=0.5kΩ ，Rg1=165 kΩ ，Rg2=35kΩ ，UGS(th)=1V ，IDO 1mA ，电路静态工作点处U =1.5V。试求共源极电路的小信号电压增益A u /u 和源电压增益 GS u o i A u /u 。 us o s 解： U V -(-V )- I (R +R)=5V+5V-0.25mA10.5 kΩ=7.375V DSQ DD SS DQ d Ri Rg1//Rg2=28.875 kΩ gm ＝ =1 【4-6】电路如图4.7.4 ，场效应管的rdsRD ，要求： 1. 画出该放大电路的中频微变等效电路； 2. 写出 、R 和R 的表达式； i o 3. 定性说明当Rs增大时， 、R 和R 是否变化，如何变化？ i o 4. 若C 开路， 、R 和R 是否变化，如何变化？写出变换后的表达式。 S i o 解： 此题的场效应管是增强型的，所以要用增强型的转移特性曲线方程式 由