HM2103B芯片数据手册.PDFVIP

大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 HM2103B芯片数据手册 1.特点  高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V  适应5V、3.3V 输入电压  最高频率支持500KHZ  低端VCC 电压范围2.8V-20V  输出电流能力IO+/- 1A/1.5A  内建死区控制电路  自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通  HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出  LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出  外围器件少  静态电流小于5uA，非常适合电池场合  封装形式：SOP-8 2. 描述 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电 路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器 中的驱动电路。 高端的工作电压可达600V，低端Vcc 的电源电压范围宽2.8V～20V，静态功耗小于5u