贺州半导体材料设计项目可行性研究报告.docx

泓域咨询/贺州半导体材料设计项目可行性研究报告 报告说明 集成电路用半导体硅片方面，随着制程的不断缩小，芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度也在不断降低。在半导体硅片的制造过程中，需要严格控制硅片表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、表面颗粒尺寸和数量等直接影响半导体产品的成品率和性能的技术指标，对于硅材料的质量和技术要求进一步提高。 根据谨慎财务估算，项目总投资4977.79万元，其中：建设投资3103.92万元，占项目总投资的62.36%；建设期利息37.52万元，占项目总投资的0.75%；流动资金1836.35万元，占项目总投资的36.89%。 项目正常运营每年营业收