模拟电子技术单选.docxVIP

一．填空题。 N 型半导体中多数载流子是 A ；P 型半导体中多数载流子是 B 。 自由电子 B．空穴 N 型半导体 C ；P 型半导体 C 。 带正电 B．带负电 C．呈电中性 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 B ，而少子的浓度则受 A 的影响很大。 温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷 PN 结中扩散电流方向是 A ；漂移电流方向是 B 。A．从 P 区到N 区 B．从N 区到P 区 当 PN 结未加外部电压时，扩散电流 C 飘移电流。 大于 B．小于 C．等于 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 B