山东建筑大学模拟电子技术期末考试复习题.docxVIP

《模拟电子技术》 一、单选题 PN结的基本特性是（B） o A、 多子扩散 B、 单向导电 C、 少子漂移 D、 载流子复合 可以工作在击穿区的器件是（D） o A、 三极管 B、 集成运放 C、 场效应管 D、 稳压管 测得放大电路中的BJT各电极对地电压为：Vb=2.7V, Ve=2V, Vc=6V,则该 BJT 为（A） o A、 NPN硅管 B、 NPN错管 C、 PNP错管 D、 PNP硅管 三极管共射级放大电路中，若静态工作点设置过低，在输 入信号增大时放大器会首先产生（C） O A、 交越失真 B、 饱和失真 C、 截止失真 D、 频率失真 某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。 A、 P沟道增强型MOS管 B、 P沟道结型场效应管 C、 N沟道增强型MOS管 丿 D、 N沟道耗尽型MOS管 叫 新 为使放大器输入电阻提高、负载变化时输出电流稳定，应 加入（B ）负反馈。 A、 电压串联 B、 电流串联 C、 电压并联 D、 电流并联 在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为50W,则电路 中功放管的集电极最大功耗约为（C） O TOC \o 1-5 \h \z A、 25W B、 50W C、 10W D、 100W 为了有效地放大hf 频段的信号 3Q而抑制其它频率 的信号，应釆用的滤波电路是（D ）。 A、 低通滤波电路 B、 高通滤波电路 C、 带阻