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文档标题:
步进投影式光刻机掩模设计手册
摘要:
本文档对上海微电子装备有限公司(SMEE)生产的步进投影式光刻机所适用的掩模进行设计说明。作为掩模
设计手册，本文旨在为客户进行基于本公司光刻机产品设计生产用掩模板提供指引。据此规范设计的掩模适用
于 SS B500/10A、SS B500/10B 型光刻机产品。本文逐项对步进投影式光刻机适用的掩模版基底规格、图形区尺
寸、各种类型标记尺寸、条形码规格、保护膜范围以及图形区布局进行详细描述。
未经 SMEE 允许，不得擅自复印
目录
1 前言3
1.1 范围3
1.2 内容3
2 掩模基本信息3
2.1 基底规格3
2.2 掩模图形布局4
2.2.1 掩模图形位置4
2.2.2 掩模图形公差4
2.3 掩模坐标系5
2.4 铬面朝向5
2.5 倍率5
2.6 曝光图形区5
2.7 铬边6
2.8 保护膜6
2.9 污染和缺陷6
2.9.1 条形码7
2.9.2 掩模预对准标记7
2.9.3 掩模对准标记7
3 掩模图形数据7
3.1 预对准标记7
3.2 对准标记8
3.3 铬边9
3.4 条形码10
3.5 人工可识别码 11
3.6 吸附区域 11
3.7 保护膜位置线12
4 曝光图形区布局12
未经 SMEE 许可，不得擅自复制 Page 2 of 13
1 前言
1.1 范围
本文档对上海微电子装备有限公司生产的步进投影式光刻机所适用的掩模进行设
计说明。作为掩模设计手册，本文旨在为客户进行基于本公司光刻机产品设计生产用
掩模板提供指引，据此规范设计的掩模适用于 SS B500/10A、SS B500/10B 型光刻机产
品。
1.2 内容
步进投影式光刻机的基本功能是在规定的时间内将掩模上的图样曝光至硅片面。
对于同样的掩模图样，不同批次中各硅片面曝光图形的质量及位置需具有一定的复现
性。为确保设计的掩模图形能正确曝光至指定区域，掩模版上还需设计预对准标记、
对准标记、条形码。本文逐项对步进投影式光刻机适用的掩模版基底规格、图形区尺
寸、各种类型标记尺寸、条形码规格、保护膜范围以及图形区布局进行详细描述。
2 掩模基本信息
2.1 基底规格
掩模版基底规格及尺寸需符合 SEMI P1-1101：Hard Surface Photomask Substrates
标准，各项指标规格如表 2-1 所示：
表 2-1 掩模版衬底规格
掩模特性 规格
材料类型 极低热膨胀熔石英 (ULTE) ，两面抛光
边长尺寸 6 inch (方形), Min 151.6 mm, Max 152.4 mm
垂直度 0.05/25.40 mm
标准厚度 0.25 inch, Min 6.25 mm, Max 6.45 mm
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