随州关于成立功率半导体设计公司可行性报告.docx

泓域咨询/随州关于成立功率半导体设计公司可行性报告  随州关于成立功率半导体设计公司 可行性报告 xx（集团）有限公司  报告说明 IGBT为电压驱动型器件，耐压高，工作频率介于晶闸管和MOSFET之间，能耗低、散热小，器件稳定性高。在低压下MOSFET相对IGBT在电性能和价格上具有优势；超过600V以上，IGBT的相对优势凸显，电压越高，IGBT优势越明显。IGBT在轨道交通、汽车电子、风力和光伏发电等高电压领域应用广泛。 根据谨慎财务估算，项目总投资1849.98万元，其中：建设投资1232.75万元，占项目总投资的66.64%；建设期利息26.72万元，占项目总投资的1.44%