鞍山功率半导体设计项目可行性研究报告_模板参考.docx

泓域咨询/鞍山功率半导体设计项目可行性研究报告  鞍山功率半导体设计项目 可行性研究报告 xxx（集团）有限公司  报告说明 IGBT为电压驱动型器件，耐压高，工作频率介于晶闸管和MOSFET之间，能耗低、散热小，器件稳定性高。在低压下MOSFET相对IGBT在电性能和价格上具有优势；超过600V以上，IGBT的相对优势凸显，电压越高，IGBT优势越明显。IGBT在轨道交通、汽车电子、风力和光伏发电等高电压领域应用广泛。 根据谨慎财务估算，项目总投资1428.47万元，其中：建设投资800.70万元，占项目总投资的56.05%；建设期利息11.13万元，占项目总投资的0.78%；流动资金