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本实用新型公开了一种漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置,漏液引流组件包括承接件和密封件,承接件限定出用于承接从坩埚泄漏的硅熔液的承接腔,承接件形成有与承接腔连通的导流通道,导流通道的入口形成于承接腔的底壁;密封件设于导流通道内用于封堵导流通道,密封件包括第一可熔部,第一可熔部从密封件在导流通道延伸方向上的一侧表面延伸至另一侧表面,第一可熔部的熔点不高于硅熔液的熔点。根据本实用新型的漏液引流组件,可以防止外界气体从导流通道流入晶体生长装置内,保证硅晶体的生产质量,承接并引流泄漏的硅熔液,有效
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218203162 U
(45)授权公告日 2023.01.03
(21)申请号 202222773150.9
(22)申请日 2022.10.20
(73)专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司
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