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实 验 报 告
19系 04级 姓名 王承乐 日期 05.10.10 台号 1号台 评分
实验题目: 霍尔效应
实验目的: 通过用霍尔元件测量磁场,判断霍尔元件载流子类型,计算载流子的浓度和迁移速度,以及了解霍尔效应测试中的各种副效应及消除方法。
实验原理: 霍尔效应装置如图2.3.1-1和图2.3.1-2所示。将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(B的方向沿z轴方向),当沿y方向的电极A、A’上施加电流I时,薄片内定向移动的载流子(设平均速率为u)受到洛伦兹力FB的作用,
(1)
无论载流子是负电荷还是正电荷,的方向均沿着x方向,在磁力的作用下,载流子发生偏移,产生电荷积累,从而在薄片B、B’两侧产生一个电位差 EMBED Equation.3 ,形成一个电场E。电场使载流子又受到一个与 EMBED Equation.3 方向相反的电场力 EMBED Equation.3 ,
EMBED Equation.3 (2)
其中b为薄片宽度, EMBED Equation.3 随着电荷累积而增大,当达到稳定状态时 EMBED Equation.3 = EMBED Equation.3 ,即
EMBED Equation.3 (3)
这时在B、B’两侧建立的电场称为霍尔电场,相应的电压称为霍尔电压,电极B、B’称为霍尔电极。
另一方面,设载流子浓度为n,薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为:
EMBED Equation.3 或 EMBED Equation.3 (4)
由(3)和(4)可得到
不变,取,取1.00,1.50……,4.50mA(每隔0.5mA),测- EMBED Equation.3 曲线,计算 EMBED Equation.3 。
3.保持 EMBED Equation.3 不变,取 EMBED Equation.3 , EMBED Equation.3 取0.100,0.150……,0.450mA,(每隔0.05A),测绘 EMBED Equation.3 - EMBED Equation.3 曲线,计算 EMBED Equation.3 。
4.在零磁场下,取IS=0.1mA,测VB’C(即V?)。
5.确定样品导电类型,并求 EMBED Equation.3 。
数据处理:
1. EMBED Equation.3 时, EMBED Equation.3
EMBED Equation.3 (mA) EMBED Equation.3 (mV) EMBED Equation.3 (mV)1.00-3.493.49-3.523.513.5031.50-5.245.24-5.27-5.275.2552.00-6.986.98-7.02-7.027.0002.50-8.728.72-8.77-8.778.7453.00-10.4510.46-10.51-10.5110.4853.50-12.2012.20-12.27-12.2712.2354.00-13.9313.94-14.02-14.0213.9784.50-15.6515.66-15.7415.7515.700 EMBED Equation.3 - EMBED Equation.3 曲线:
EMBED Origin50.Graph
EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
∴ EMBED Equation.3 EMBED Equation.3
∴ EMBED Equation.3
2. EMBED Equation.3 时,
EMBED Equation.3 (mA) EMBED Equation.3 (mV) EMBED Equation.3 (mV)0.10-3.403.40-3.413.413.4050.15-5.075.07-5.135.135.1000.20-6.806.80-6.916.
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