复旦大学2019年全国硕士研究生招生考试882半导体器件原理考试大纲.pdfVIP

复旦大学 2019 年全国硕士研究生招生考试 882 半导体器件原理考试大纲 科目代码 882 科目名称 半导体器件原理 一、考试内容范围 1pn 结的频率特性与开关特性 1.1pn结直流特性 1.2pn结的频率特性 1.2.1交流小信号下的 pn 结少子分布 1.2.2扩散电流 1.2.3交流小信号导纳 1.2.4交流小信号等效电路 1.3pn结的开关特性 1.3.1pn结二极管的开关作用 1.3.2导通过程 1.3.3关断过程 2 双极型晶体管 2.1基本结构、制造工艺和杂质分布 2.1.1晶体管的基本结构 2.1.2制造工艺 2.1.3杂质分布 2.2电流放大原理 2.2.1放大条件 2.2.2电流传输 2.2.3共基极电流放大系数 2.2.4共射极电流放大系数 2.3直流特性 2.3.1晶体管中的少子分布 2.3.2理想晶体管的电流-电压方程 2.3.2.1少子分布 2.3.2.2电流密度 2.3.2.3Ie、Ib、Ic表达式 2.3.3放大系数表达式 2.3.4理想晶体管的输入、输出特性 2.3.4.1共基极 2.3.4.2共射极 2.3.5晶体管的非理想现象 2.3.5.1发射结结面积对注入效率的影响 2.3.5.2基区宽度调制效应 2.3.5.3发射结复合电流影响 2.3.5.4大注入效应之一-Webster效应 2.3.5.5大注入效应之二-Kirk效应 2.3.5.6大注入效应之三-发射极电流集边效应 2.3.6实际晶体管的输入、输出特性 2.3.6.1共基极输入、输出特性 2.3.6.2共射极输入、输出特性 2.4反向特性 2.4.1晶体管的反向电流 2.4.1.1Icbo、Iebo 2.4.1.2Iceo 2.4.2晶体管的反向击穿电压 2.4.2.1BVebo、BVcbo 2.4.2.2BVce 2.4.3晶体管穿通电压 2.4.3.1基区穿通 2.4.3.2集电区穿通 2.5晶体管的模型 2.5.1Ebers-Moll方程 2.5.2实际晶体管模型 2.6频率特性 2.6.1晶体管的放大作用 2.6.2低频交流小信号等效电路 2.6.2.1y参数等效电路 2.6.2.2h参数等效电路 2.6.3放大系数的频率特性 2.6.3.1晶体管的高频效应 2.6.3.2发射极延迟时间 2.6.3.3基区渡越时间 2.6.3.4集电结渡越时间 2.6.3.5集电极延迟时间 2.6.3.6放大系数的频率特性 2.6.3.6.1共基极截止频率 2.6.3.6.2共射极截止频率 2.6.3.6.3特征频率 2.6.4高频等效电路 2.6.4.1h参数等效电路 2.6.4.2高频功率增益 2.6.4.3最高振荡频率 2.6.5漂移晶体管 2.6.5.1非均匀基区及自建电场 2.6.5.2直流特性 2.6.5.2.1少子分布与少子电流 2.6.5.2.2直流增益 2.6.5.2.3Early效应 2.6.5.3频率特性 2.6.5.3.1连续性方程解基区渡越时间 2.6.5.3.2漂移速度解基区渡越时间 2.6.5.3.3扩散电容解基区渡越时间 2.6.6异质结双极型晶体管 2.6.6.1结构 2.6.6.2理想异质结能带图 2.6.6.3工作原理 2.7开关特性 2.7.1晶体管的开关作用 2.7.1.1晶体管的工作区 2.7.1.2截止区和饱和区的少子分布 2.7.1.3晶体管的开关作用 2.7.1.4晶体管的开关过程 2.7.1.5晶体管开关过程中的少子分布 2.7.2电荷控制理论和晶体管开关时间 2.7.2.1电荷控制理论 2.7.2.2开关时间 2.7.2.2.1延迟时间 2.7.2.2.2上升时间 2.7.2.2.3储存时间 2.7.2.2.4下降时间 2.7.2.2.5提高开关速度的途径 2.7.2.2.6正向压降和饱和压降 3MOSFET 的基本特性 3.1MOSFET 的结构和工作原理 3.1.1MOSFET 简介 3.1.2MOSFET 的结构 3.1.3MOSFET 的基本工作原理 3.1.4MOSFET 的分类和符号 3.1.5MOSFET 的输出特性和转移特性 3.2MOSFET 的阈值电压