碳化硅衬底及外延片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法.pdfVIP

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2023-01-13 发布于上海
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碳化硅衬底及外延片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法.pdf

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碳化硅衬底及外延片位错密度检测方法 KOH 腐蚀结合图像识别法 1 范围本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H 及6H-SiC 晶片材料中Si 面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。 2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义本文件没有需要界定的术语和定义。 4 方法原理缺陷择优腐蚀是表征晶体质量的一个快速、有效的方法，特别是对于半导体单晶来说，腐蚀坑的形状和密度呈现出了单晶的缺陷类型以及缺陷密度。SiC 单晶衬底在碱性腐蚀