半导体物理分章答案第五章.pptxVIP

第五章 非平衡载流子Carrier concentrations in unequilibrium重点：1、平衡与非平衡半导体判定标准2、复合理论3、非平衡载流子的运动规律第1页，共60页。§5.1 非平衡载流子的注入与复合Injection and Recombination of Carriers1、非平衡载流子及其产生（注入）产生非平衡载流子的过程称为非平衡载流子的注入。(1)常见的注入方式： 光注入 电注入 高能粒子辐射 热注入第2页，共60页。(2)非平衡载流子浓度用△n 和△p表示： n = n0 + △n ；p = p0 + △p 一般：△n = △p 例如： 电阻率为1Ω·cm的n型Si， 其平衡载流子浓度为： n0 = 5.5×1015cm-3 p0 = 3.1×104cm-3 非平衡载流子浓度为： △n = △p = 1010cm-3(3)小注入条件： 当非平衡载流子浓度△n 和△p 远远小于多子浓度时，称为小注入条件。则△n n0，而△p p0n=n0+△n≈n0≈5.5×1015cm-3p=p0+△p≈△p≈1010cm-3 小注入条件下非平衡少数载流子对半导体的影响更为显著。第3页，共60页。非平衡载流子注入的结果:产生附加电导(4)非平衡半导体的电导率 通过附加电导率的测量可以直接检验非平衡载流子的存在.第4页，共60页。3、非平衡载流子的复合复