新型边缘刻蚀反应装置.pdfVIP

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2023-01-18 发布于四川
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新型边缘刻蚀反应装置.pdf

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一种新型边缘刻蚀反应装置，包括：刻蚀系统，刻蚀系统包括:下电极;上电极;位于下电极和上电极之间的射频隔离环;射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上电极外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙；传片系统；刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起；光学定位系统，光学定位系统包括：校准晶圆；光学探测部件；光学接收部件；修正单元，所述修正单元适于根据光学接收部件对校准晶圆和晶圆分别获取的光信息的差别修正晶圆的位置。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高对

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212277162 U (45)授权公告日 2021.01.01 (21)申请号 202021249588.1 (22)申请日 2020.07.01 (73)专利权人上海邦芯半导体设备有限公司