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衬底和包含该衬底的半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-01-21 发布于北京
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衬底和包含该衬底的半导体装置.pdf

    本实用新型涉及一种衬底和包含该衬底的半导体装置。该衬底包括芯层，具有相对的第一表面和第二表面；一个或多个接触指，设置于芯层的第一表面上，一个或多个接触指中的至少部分接触指在芯层的第一表面上沿着第一方向延伸；第一阻焊掩模，覆盖芯层的第一表面且具有开口，一个或多个接触指通过开口暴露；强化图案，设置于芯层的第二表面上，并且与芯层的第二表面上的导电布线在同一层中；以及第二阻焊掩模，覆盖芯层的第二表面和强化图案，第二阻焊掩模的表面上具有用于设置一个或多个裸芯的裸芯区域。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212303638 U (45)授权公告日 2021.01.05 (21)申请号 202020450471.3 (22)申请日 2020.03.31 (73)专利权人 西部数据技术公司 地

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