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一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件.pdfVIP

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  • 2023-01-21 发布于北京
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一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件.pdf

    本实用新型实施例公开了一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件，其中每个元胞结构的第一导电类型碳化硅衬底上设有第一导电类型的碳化硅外延层；第一导电类型的碳化硅外延层中分别注入设有第二导电类型体区、第二导电类型基区和第一导电类型源区、电流加强注入区，其中注入第二导电类型基区时采用倾斜注入，斜注入后第二导电类型基区在上表面靠近掩蔽层端形成圆弧型注入形貌；第一导电类型的碳化硅外延层上方设有栅氧化层，并设有栅极；第一导电类型的碳化硅外延层上方淀积设有隔离介质，在接触源区处开口，并

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212303675 U (45)授权公告日 2021.01.05 (21)申请号 202020396719.2 (22)申请日 2020.03.25 (73)专利权人 派恩杰半导体（杭州）有限公司

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