一种半导体结构.pdfVIP

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2023-01-24 发布于四川
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一种半导体结构.pdf

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本实用新型提供了一种半导体结构，包括支撑结构，以及依次形成于支撑结构上的第一介质层和生长衬底，支撑结构与生长衬底的重心错位设置，避免了生长衬底与石墨盘的直接接触，将石墨盘对生长衬底施加的离心力转移到支撑结构上，进一步确保生长衬底的质量，极大程度上降低裂片的概率，以确保后续外延层的晶体质量，且支撑结构形成于生长衬底的底部，有效提高了该半导体结构的机械强度，增强稳定性，抑制半导体结构发生形变。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218351409 U (45)授权公告日 2023.01.20 (21)申请号 202221664248.4 (22)申请日 2022.06.30 (73)专利权人苏州晶湛半导体有限公司地址 2