半导体物理学-第五章.pdfVIP

问题十三 • 半导体电阻率与温度的关系    • 强场效应 V ~ E,  ~ E d • 热载流子 T ~ T e • 多能谷散射 • 负微分电导 • 耿氏振荡 大数据与信息工程学院电子科学系 第五章 非平衡载流子 • 非平衡载流子的注入与复合 • 非平衡载流子的寿命 • 准费米能级 • 复合理论 • 陷阱效应 • 载流子的扩散运动 • 载流子的漂移运动∙爱因斯坦关系式 • 连续性方程式 大数据与信息工程学院电子科学系 5.1 非平衡载流子的注入与复合 • 非平衡载流子 • 非平衡载流子的注入 • 非平衡载流子的复合 大数据与信息工程学院电子科学系 1. 非平衡载流子 • 当半导体处于热平衡态时，载流子浓度满足： 2 n p n 0 0 i • 当半导体处于非平衡态时，其载流子浓度： n n n 0 p p p 0 n p • 式中 称为非平衡载流子。 • 非平衡载流子，半导体处于非平衡态时，如光照，电 场，温度不均匀等，其体内载流子较平衡时多出来的 那一部分，称为非平衡载流子。 大数据与信息工程学院电子科学系 2. 非平衡载流子的注入 （产生） • 非平衡载流子产生的过程，称为非平衡载流子的注入。 光照产生称光注入，外加电场产生，称电注入。 • 非平衡载流子的产生，其实质是外界以一定方式提供能 量，而半导体价带中的电子获得能量，从价带跃迁至导 带，从而产生额外的电子和空穴。 • 无论什么方法产生的非平衡载流子，总有： n p • 非平衡载流子的注入不改变半导体的电中性。 大数据与信息工程学院电子科学系 • 非平衡载流子的光注入 大数据与信息工程学院电子科学系 • 非平衡少数载流子 • n型半导体 n n , p ~ p or p  p 0 0 0 • p型半导体 p  p , n~ n or n n 0 0 0 • 非平衡载流子的注入对与少数载流子及相关的性质影响巨 大，而对多数载流子及相关的性质影响可以忽略不计，故 通常所说的非平衡载流子往往指非平衡少数载流子。 • n型Si: 15 3 4 3  1cm, n  5.5 10 cm , p  3.110 cm , 0 0 10 3