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模拟集成电路设计实验 实验目的： 了解模拟集成电路的设计流程以及设计方法，学会绘制电路原理图并导出网表，了解SPICE语法基础，看懂SPICE网表，学会修改网表中的器件参数和仿真语句，查看仿真结果和仿真波形。 实验1：提取MOS管等效参数。 实验目的： 了解利用九同方云平台进行集成电路设计的基本操作流程，掌握提取特定工艺库中mos管等效参数的方法。 实验原理： 在进行电路设计前必须提取工艺库中mos管的手动计算参数。通过仿真mos管的I-V特性，利用公式： 可以解得NMOS的一级参数K’和λ。 QUOTE QUOTE QUOTE 实验步骤： 1、使用eSchema绘制电路原理图： 1、登录九同方云平台，确保设计环境安装正确。打开 ,输入账号（学号）和密码（#abcd1234）登录平台。 2、点击eSchema，运行原理图编辑器。（如有提示java安装问题请尽快提出），允许应用程序执行并接受风险。 3、点击download libs下载器件库。下载完成后点击start开始绘制电路图。 4、进入原理图绘制界面后点击preference - library 加载器件库，选择ic9cube.lib器件库。 开始绘制电路图，参考电路图如下： 5、电路图绘制完成后，进行电气规则检查： 根据错误提示修改电路图直至没有错误。（某些警告可以忽略） 6、导出SPICE网表： 2、查看spice网表，并添加仿真语句。 使用任意文本查看器打开导出的网表。 参考网表如下： 黑色字体为原始导出的网表，红色为需要添加的控制语句和仿真语句，绿色为注释语句，以*开头。 *Sheet Name:/ Vg1 N-000002 0 1 * 第一个字符为关键字，V表示电压源，电压源两端节点为N-000002和0（0即为地），电*压大小为1伏 Vdd1 VDD 0 3.3 M1 VDD N-000002 0 0 n_33 w=10u l=1u m=1 *MOS管，按顺序为 漏、栅、源、衬；模型名为n_33，在库文件中有定义；mos管宽w为*10u，长l为1u；m表示并联数，1个mos管并联 .lib model.lib tt **引用库文件model.lib，库文件中定义了所使用的mos管的模型，tt表示选用的pmos和 **nmos管都是typical工艺 .op *op表示直流工作点分析，会在logfile中打印各个元件的工作点 *状态，包括器件的电压电流，mos管工作区域、电容、跨导等。 .dc vdd1 0 3.3 0.01*执行直流扫描，扫描的变量的电压源vdd1，值从0 到3.3，步进为0.01。 *.dc vdd1 0 3.3 0.01 sweep vg1 1 3 0.5 **这条语句已经被注释，上一条语句成功仿完后可以取消注释，并注释上一条。 *扫描vdd的同时扫描电压vg1，值从1到3，步进为0.5，也就是两层循环。 .probe i(M1) vth(M1) *打印M1的漏电流和阈值电压。 .end 3、上传网表进行仿真： 在网页上点击espice，上传网表文件和其他附属文件。 网表文件选步骤2从eschema中导出并修改过的那个文件；附属文件选模型库文件，即model.lib；点击确认开始仿真。 等待仿真结束。 3、查看仿真结果： 仿真结束后，点击查看 可以看到几个文件，包括上传的网表文件、库文件，另外还生成几个文件，其中，logfile.txt为日志文件，raw文件为波形文件。 1、查看日志文件logfile.txt 其中logfile.txt为日志文件，其中包含该任务的各种信息，包括出错信息、工作点等。 点击view查看该文件，先将文件拉至最后看是否有错误，若有错误则根据提示修改网表重新提交任务。 若没有错误，logfile前面会打印该任务的仿真信息，以及各个元件的静态工作点信息（执行op分析后生成）等，静态工作点类似如下： Operating point computed in DC analysis dcrun1 at T = 27 C. **温度 V(N-000002) = 1 V **节点电压电流 V(VDD) = 3.3 V I(Vdd1:p) = -103.105 uA I(Vg1:p) = 0 A Most positive signals: V(VDD) = 3.3 V I(Vg1:p) = 0 A Most negative signals: V(M1:int_s) = 26.4463 uV I(Vdd1:p) = -103