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晶体的分类;习题
1.??面心立方结构的单晶体晶格常数是a=4.75A，求原子的体密度。
2.??已知硅材料的晶格常数a=5.43A,求单位体积原子个数。
3.???确定如图所示晶胞中的晶面的密勒指数。
4.??计算以1×105m/s运动的自由电子的动量和德布罗意波长。;第一章 半导体中的电子状态;1. 能级与能带;能级分裂;能带形成;2.半导体中电子状态和能带;▲ E(k)与k的关系;E(k)随晶体中周期性变化
势场影响形式复杂;3. ▲导体、绝缘体和半导体的能带;1.半导体中E(k)与k的关系;2. ▲有效质量的意义：;1.5节;1.硅和锗的能带结构;硅、锗沿[111]和[100]方向上的能带结构图;2.砷化镓能带结构;禁带宽度随T↑而↓ 。Eg(0)：T=0K时禁带宽度;习题;补充习题;补充习题;3.右图为能量曲线E(k)的形状，试回答：;（2）在考虑Ⅰ、Ⅱ两个带充满电子，而第Ⅲ个带全空的情况，如果少量电子进入第Ⅲ个带，在Ⅱ带中产生同样数目的空穴，那么Ⅱ带中的空穴有效质量同Ⅲ带中的电子有效质量相比，是一样、还是大或小？;在Ⅱ带带顶附近：;1、n 型半导体
施主杂质电离，施放电子到导带而产生导电电子并形成正电中心
有△ED《Eg
2、p 型半导体
特征：受主杂质电离，接受电子成为负电中心并产生空穴在价带；
有 △EA《Eg;2.浅能级杂质电离能的计算;4.深能级杂质;习题（作业）
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