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场效应管工作在恒流区会计学第1页/共24页第五章 场效应管及其放大电路§5.1 场效应管§5.2 场效应管基本放大电路第2页/共24页§5.1 场效应管一、结型场效应管二、绝缘栅型场效应管三、场效应管的分类漏极结构示意图符号栅极源极第3页/共24页单极型管∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。一、结型场效应管（以N沟道为例）1. 结构导电沟道沟道消失称为夹断沟道变窄第4页/共24页2. 工作原理 （1）栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用UGS（off）沟道最宽 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？第5页/共24页（2）漏-源电压对漏极电流的影响预夹断uGDUGS（off）uGD＝UGS（off）uGDUGS（off）uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。场效应管工作在恒流区的条件是什么？第6页/共24页3. 特性（1）转移特性场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。uDG＞－UGS（off）漏极饱和电流夹断电压IDSSΔiD夹断电压第7页/共24页（2）输出特性预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）iD几乎仅决定于uGS可变电阻区g-s电压控制d-s的等效电阻恒流区击穿区低频跨导：夹断区（截止区） 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。高掺杂耗尽层空穴第8页/共24页二、绝缘栅型场效应管大到一定值才开启1. 增强型管衬底反型层SiO2绝缘层 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。第9页/共24页增强型MOS管uDS对iD的影响刚出现夹断 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 iD随uDS的增大而增大，可变电阻区uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？第10页/共24页2. 耗尽型 MOS管小到一定值才夹断uGS=0时就存在导电沟道加正离子 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。2)耗尽型MOS管第11页/共24页3. MOS管的特性1)增强型MOS管开启电压夹断电压第12页/共24页3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性问题：uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 只有uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 只有uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ 第13页/共24页讨论一：利用图示场效应管组成原理性共源放大电路。第14页/共24页讨论二：如何利用Multisim测试场效应管的输出特性从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点？第15页/共24页§5.2 场效应管基本放大电路一、场效应管静态工作点的设置方法二、场效应管放大电路的动态分析三、场效应管放大电路的频率响应第16页/共24页一、场效应管静态工作点的设置方法1. 基本共源放大电路 根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-s、d-s间加极性合适的电源第17页/共24页2. 自给偏压电路由正电源获得负偏压称为自给偏压哪种场效应管放大电路能够采用这种电路形式设置Q点？第18页/共24页3. 分压式偏置电路即典型的Q点稳定电路为什么加Rg3?其数值应大些小些？哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？第19页/共24页二、场效应管放大电路的动态分析1. 场效应管的交流等效模型与晶体管的h参数等效模型类比：近似分析时可认为其为无穷大！根据iD的表达式或转移特性可求得gm。若Rd=3kΩ， Rg=1MΩ， gm=2mS，则与共射电路比较。第20页/共24页2. 基本共源放大电路的动态分析若Rs=3kΩ，gm=2mS，则第21页/共24页3. 基本共漏放大电路的动态分析第22页/共24页基本共漏放大电路输出电阻的分析若Rs=3kΩ，gm=2mS，则Ro=?第23页/共24页三、场效应管单管放大电路的频率响应