半导体材料及其基本能带结构.pptxVIP

固体理论;5.1 半导体及其基本能带结构 ;半导体的基本能带结构 一. 半导体材料;;1.3 半导体材料的分类;1.3 半导体材料的分类;第一代半导体，元素半导体(以Si和Ge为代表): 晶圆尺寸越来越大(8~12inch) 、特征线宽越来越小(32nm) SOI、GeSi、Strain Silicon，high K栅介质 第二代半导体，化合物半导体(以GaAs，InP等为代表) 超高速、低功耗、低噪音器件和电路，光电子器件和光电集成 增大晶体直径(4~6 inch) 、提高材料的电学和光学微区均匀性 超晶格、量子阱材料 第三代半导体，宽禁带半导体(以GaN，SiC，ZnO，金刚石等为代表) 高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路 新型半导体，以稀磁半导体，低维半导体等为代表;材料维度的发展 ;;5. 半导体材料的应用 ;;5.1 半导体及其基本能带结构 ;硅和锗的原子结构 简化模型及晶体结构;;;空穴 价带上的电子由于本征激发跃迁到导带上，留下一个空着的状态。这个在几乎充满的能带中未被电子占据的空量子态称为空穴。 由电中性条件，空穴可以看成是一个带正电的粒子，因此，空穴为一准粒子，其物理特性可以由价带电子的性质来描述。 引进空穴的概念后，价带上大量电子的集体效应可以用少量的空穴来描述，空穴导电实质就是价带中大量电子的导电。 ; 本征半导体中有两种载流子;;;直接带隙与间接带隙 ;价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点上 价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化——直接跃迁 直接禁带半导体——GaAs，GaN，ZnO;3. 半导体的带隙 ;半导体的基本能带结构 二. 半导体的带隙;Tips;5.1 半导体及其基本能带结构 ;导带底附近的电子有效质量和价带顶附近的空穴有效质量也是半导体能带的基本参数。 反映半导体能带结构 费米能级的位置 载流子浓度 半导体迁移率和导电性;晶体中的电子和自由电子的差异——晶体中的电子，受到原子核周期性势场的影响。 如何描述晶体中电子的能量？ 借用自由电子的能量公式： 将其中的自由电子质量修正成 mn*（电子在晶体中的有效质量），则以上公式 变为 即可以简单关系式表示晶体中，受到原子核周期性势场影响的电子能量。;模拟说明;a）有效质量反映了晶体周期性势场的作用，则它不同于一般的惯性质量，有效质量可大于或小于其惯性质量，可以取正值（在能带底部）、也可以取负值（在能带顶部）； b）有效质量是具有数个分量的张量，则载流子运动的加速度可以与外力的方向不一致，只有当外力沿着等能面主轴方向时才具有相同的方向； c）有效质量与电子或空穴所处的状态k有关； d）有效质量与能带结构有关，能带越宽，能带曲线的曲率半径也越小，有效质量就越小（石墨烯）； e）有效质量概念只有在能带极值（能带底或能带顶）附近才有意义，在能带中部则否（因为在能带中部的有效质量将趋于∞）。;;价电带电子的E-k图曲率为负，所以此区电子的有效质量为负。; 等能面为球面(m*为各向同性)时情况 在恒定外磁场中，晶体中的电子(或空穴)将作螺旋运动，回转频率：?0 = qB/mn*。 若在垂直于磁场方向加上频率为ω 的交变电场，当ω=ω0时，交变电场的能量将被电子共振吸收，这个现象称为回旋共振。;半导体的基本能带结构 三. 带边有效质量 ;Si和Ge的导带电子的情况比较复杂，因为它们的导带底不在Brillouin区中心，数目分别是6个和8个 并且导带底附近的等能面形状是椭球面，则其电子有效质量在椭球等能面的不同方向上有所不同（可区分为纵向有效质量ml*和横向有效质量mt*）;三. 带边有效质量 ;三. 带边有效质量 ;GaAs的导带底位于Γ点，其导带底附近的等能面是球形的. mn*=0.067m0 其价带在Γ点简并，具有一个重空穴带和一个轻空穴带。 mpl=0.076mo，mph= 0.50mo;三. 带边有效质量 ;三. 带边有效质量 ;小 结;理想的半导体材料 —— 没有缺陷或没有杂质 ;谢谢!