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5、说明电力MOSFET栅极电压U 控制漏极电流 的基本原理。
GS iD
答：当UGSUGSth时,功率MOSFET处于截止区III。此时若UDS超过击穿电压Ubr时，期间
将被击穿，使iD急剧增大而进入雪崩击穿。而当UGSUGSth时输出特性在线性导电区，由
于UDS它对导电沟道宽度和一点的漏-源电阻RDS，则iD=UDS/RDS将随UDS而线性增大；这
就形成了线性到点去I （可调电阻区）。对于一定的UGS，当UDS较大时，尽管UDS增大，
但因iD已经达到饱和值，不能再增大多少，此时恒流饱和区II
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