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、单选题(共30道试题,共60分。)V I.陶骁半导体的电阻率随着温度的升高而()。
A.减少B.升高
C.不拟定
满分:2分.二氧化硅传感器的阻值随温度、湿度上升而有规律地0。
A.减小B,增大
C.不拟定满分:2 分
.功率控制元件IGCT采用()驱动。
A.电流B.电压
C.电压电荷
满分:2分.二极管温度传感器在正向恒流条件下端电压随温度升高而线性()。
A.减少B.升高
C.不拟定
满分:2分.接触器是电力拖动与自动控制系统中的一种()压控制电器。
A.高B.低
C.高低满分:2 分
6.差动变压器式传感器可直接用于()测量满分:2 分
4,永磁式直流伺服电动机有电枢控制和磁场控制两种控制转速的方式。()A.错误
B.对的
满分:2分.应变式传感器中金属片有丝式、箔式、薄膜片三种。()
A.错误B.对的
满分:2 分.由于导体自身电流的变化而产生的电磁感应现象称为互感。()
A.错误B.对的
满分:2 分二氧化硅传感器的阻值随温度、湿度上升而有规律地增大。()
A.错误B.对的
满分:2 分输入量为力输出量为应变或位移敏感元件是所谓的变换力的弹性敏感元件。()
A.错误B.对的
满分:2分刚度是弹性敏感元件在外力作用下抵抗变形的能力。()
A.错误B.对的
满分:2 分10.高频涡流的变化限度取决于线圈至金属板之间的距离、金属板的电阻率、磁导率以
及激励电流的幅值与角频率等。()A.错误
B.对的满分:2 分
A.位移B.速度
C.相位D.频率
满分:2 分.光敏晶体管是运用物质在光的照射下电导性能改变或产生0而制成的光电器件。
A. 外光电效应B.光电导效应
C.光生伏特效应
满分:2分.功率控制元件高压IGBT采用()驱动。
A. 电流B.电压
C.电压电荷满分:2分
.在光线作用下,入射光频率()于红限频率,即使光线薄弱,也会有光电子射出。
A.高B.低
C.无影响D.等于
满分:2 分10.金属的电阻率随着温度的升高而()。
A. 减少B.升高
C.不拟定满分:2分 11.二氧化钛氧浓度传感器电阻值的大小取决于周边环境的()。
A.二氧化钛浓度B.氧气浓度
C.二氧化碳浓度D.氮气浓度
满分:2 分1 2.单晶半导体的电阻率随着温度的升高而()。
A.升高B. 减少
C.不拟定
满分:2分13.螺线管式差动变压器的高次谐波产生的重要因素:()
A.传感器的两次级绕组的电气参数不对称B.磁性材料的非线性
C.传感器的两次级绕组的几何尺寸不对称
满分:2 分14.某些铁磁物质在外界机械力的作用下,在其内部产生机械应变,导致()发生变化, 称之为压磁效应。
A.磁通量B.磁导率
C. 电信号满分:2分
JZ7-41继电器具有()常开触点组数。
74
C. 1D.不拟定
满分:2分变隙式差动变压器中的两个初级绕组的同名端 串联,两个次级绕组的同名端串联。
()A.顺向反向
B.顺向顺向C.反向顺向
D.反向反向
满分:2分1 7.弹性滞后现象指的是弹性元件在加、卸载的0行程中变形曲线的不重:合。
A.正反B. 单一
C.以上均可
满分:2分.变隙式差动变压器中的两个初级绕组的同名端()串联,两个次级绕组的同名端() 串联。()
A.顺向反向B.顺向顺向
C.反向顺向D.反向反向
满分:2 分.陶瓷半导体的电阻率随着温度的升高而0。
A. 减少B.升高
C.不拟定
满分:2 分. 雪崩光电二极管是运用PN结在()反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管
A.低B.高
C.高低均可满分:2分
.非接触式温度传感器重要是运用被测物体()而发出红外线,从而测量物体的温度。
A.热传导B.热对流
C.热辐射满分:2 分
.为减小涡流损耗,压磁元件的铁心大都采用()的铁磁材料叠合而成。
A.厚板B.无规定
C. 薄片
满分:2分金属的电阻率随着温度的升高而0。
A.减少B.升高
C.不拟定满分:2分
当入射光很薄弱时,普通光电管产生的光电流不容易探测,常用光电倍增管对电流进行()
A.放大B.减小
C.扩频
满分:2 分运用光电转速传感器进行速度测量时,其速度值由电信号的()决定。
A.频率B.幅值
C.相位
满分:2分A厚板B无规定C薄片
A.速度B.加速度
C.位移D.材料厚度
满分:2分JZ7 - 41继电器具有()常闭触点组数。
A. 7B.4
1不拟定
满分:2分28.低频透射式涡流传感器常用与()测量。
A.速度B.加速度
C.位移D.材料厚度
满分:2分2 9 .压磁式传感器的核心事实上是一个()转换元件。
A.力-电B. 力-磁
C.磁-电
满分:2 分30.光电管是运用物质在光的照射下发射电子的()而制成的光电器件。
A.外光电效应B.内光电效应
C.光电导效应D.光生伏特效应
满分:2分二、多选题(共1 0
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