光敏电阻光控调光电路设计报告.docxVIP

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光敏电阻光控调光电路设计报告 .小组成员及分工:班国翔,韩凌霄,李新星 李新星检测器件和辅助检测,韩凌霄上网查询资料,班国翔焊接及调试电路 .原理图 电路原理:接通电源,当周围光强度变弱时,光敏电阻的阻值变大,则光敏电阻两端的电压增大,电容C进行充电(20V-35V)使DB3导通来控制可控硅导通,则灯泡变亮。反之,当周围光强度变亮时,光敏电阻的阻值变小,则光敏电阻两端的电压减小,电容C进行充电(20V-35V)不能使DB3导通来控制可控硅导通,使得全部电压压到R2和RG上,LB上的压降不足使它发光,灯泡不亮。 器件描述: 整流桥:整流桥,就是将桥式整流的四个二极管封装在一起,只引出四个引脚。四个 引脚中,两个直流输出端标有+或一,两个交流输入端有?标记。 应用整流桥到电路中,主要考虑它的最大工作电流和最大反向电压。 可控硅 工作原理: 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作 由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图所示当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输 入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=62ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=61ib1=6邛2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。双向二极管:双向二极管的正反两个方向都有稳压作用,就如同两个稳压二极管反向串连,它的两端不论正反那个反向达到了稳定电压(既其中一个稳压极管)的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变(在其允许的电流范围内)触发二极管从图形的画法上看,与稳压管基本相似,但不同的是他们的反向击穿特性是不一样的,触发二极管当其反向击穿电压达到后,不是稳定在一定电压上而是有一个雪崩过程,使得其两端的电压跌落到远低于击穿点电压,当其两端的电压不足以维持其反向继续导通,时又会恢复反向截止设计电路参数: LB普通钨丝灯泡40WR2RJ1_0.25W_62K+/-10%R1___RJ1_0.25_100K+/-10%Rg硫化镉单晶光敏电阻器RG-CdS-CD2BPD819CCA11A_35V_2.2UF+/-20%制作过程中出现的问题及应急情况处理在焊接方面:焊接有许多漏点,经万用表检测,及时补焊。调试中一开始有接错的地方,当时没有检测出来后来是在调试过程中不发光时又去检测电路才发现又一处没有焊接上。发现制作过程中最难焊接容易出错的就是整流块,很容易把+、-极搞错。 原理方面:一开始对可控硅不太熟悉所以对原理理解的不太清楚。焊接电路的同时还得查资料,这样浪费了许多时间。 调试过程接通电源,一开始应该是灯应该是不亮但我们确是一闪一闪的发亮,在仔细分析电路应该是出现在可控硅的问题,可控硅的压降必须和RG上的压降保持在10倍。把可控硅拆下来测量阻值的变化发现可控硅的功率太大,又换了一个比较小的可控硅。第二天调试跟分析结果一样。 调试前的结果:Uab=216VUcb=8.0VUdb=0.0V调试后的结果:Uab=81.5VUcb=13.3VUdb=0.34V自我评价通过这次试验学到很多东西,最主要的让我学到了制作电路要事前准备所需的材料和所需知识,还要与以前所学知识集合起来分析电路,要充分应用辅助工具(电脑、和资料)来帮组自己完成作业。焊接电路时要仔细,焊牢,因为电路元件多时很容易露焊,缺焊。焊接完后还要仔细检测焊接电路。调试电路时也要仔细及时记录测量结果,测量结果分析是否与分析理论结果相同,不同的话要问为什么?查资料解决问题。此次试验我给自己打70分。 八、小组评价

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