半导体三极管讲解.pptxVIP

C集电极CPNBNPB基极PNEE发射极3.1 半导体三极管(BJT)一、基本结构集电极NPN型PNP型基极发射极第1页，共32页。C集电极NPBN基极E发射极集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高第2页，共32页。C集电极NPBN基极E发射极集电结发射结第3页，共32页。基区空穴向发射区的扩散电流IEP可忽略。CNBPIBNNE二、 电流放大原理发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射结电子扩散电流IEN。VCCRB进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。VBB第4页，共32页。CICNICBONBPIBENE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。VCCRBVBB第5页，共32页。IC=ICN+ICBO ?ICNCICNICBONBPIBNIBNEIEIB=IBN-ICBO?IBNVCCRBVBB第6页，共32页。内部载流子传输过程演示第7页，共32页。CCNPNPNPBBEE电路符号ICICIBIBIEIE箭头方向表示发射结加正偏时的实际电流方向 晶体三极管又称双极性器件，是电流控制型器件，其主要作用是放大电信号。第8页，共32页。三种连接方式共发射极接法、共集电极接法、共基极接法无论哪种连接方式，要使BJT有放大作用，都必须保证发射结正偏、集