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一种紫外LED芯片外延结构及芯片.pdfVIP

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  • 2023-02-02 发布于四川
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一种紫外LED芯片外延结构及芯片.pdf

    本实用新型公开了一种紫外LED芯片外延结构，其包括：衬底；设于所述衬底上的外延层；所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层上的折射层；设于所述折射层上的电流扩展层；所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率。本实用新型还公开了应用上述外延结构的LED芯片。实施本实用新型，可有效降低紫外LED芯片的全反射效应，提升光效。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212342653 U (45)授权公告日 2021.01.12 (21)申请号 202020884255.X (22)申请日 2020.05.22 (73)专利权人 佛山市国星半导体技术有限公司

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