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- 2023-02-03 发布于四川
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本实用新型涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶梯型沟槽，每个阶梯型沟槽至少具有三级，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的宽度呈逐级增大设置，由肖特基金属层填满阶梯型沟槽并覆盖第一导电类型碳化硅外延体区的上表面，阶梯型沟槽的外部由阶梯型第二导电类型体区所包围。本实用新型提高了抗突波电流能力，具有更低的器件顺向导通
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212342633 U
(45)授权公告日 2021.01.12
(21)申请号 202021320663.9 H01L 21/04 (2006.01)
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