一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴.pdfVIP

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2023-02-03 发布于四川
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一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴.pdf

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本实用新型公开了一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴，包括下绝缘体、下壳体、上绝缘体、中心电极和上壳体；上绝缘体和下绝缘体均为管状台阶结构，上绝缘体的小径段插设在下绝缘体的大径段内且之间填充有密封胶层；下绝缘体的底端具有半导体釉层；上绝缘体的内台阶面与中心电极以及上绝缘体的上端面与上壳体均通过陶瓷金属化钎焊连接。本实用新型通过使金属化膏的涂覆位置均位于端面平面，使涂覆后的金属化膏的平整度高，在提高后续钎焊加工的合格率的同时还能保证半导体电嘴的整体气密性效果；且装配式的上绝缘体和下绝缘体能

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218415332 U (45)授权公告日 2023.01.31 (21)申请号 202222602099.5 (22)申请日 2022.09.29 (73)专利权人西咸新区腾焰燃控科技有限公司地址