一种沟槽栅IGBT器件.pdfVIP

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  • 2023-02-03 发布于四川
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本实用新型公开一种沟槽栅IGBT器件,包括从下至上依次层叠设置的集电极金属层、集电区、场截止层、漂移区、沟槽结构和发射极金属层;所述沟槽结构包括假栅结构和栅极结构,其中假栅结构位于漂移区的上方侧面,栅极结构位于漂移区的上方中部;所述假栅结构包括窄部和宽部,且宽部位于窄部的下方;所述栅极结构与窄部之间的漂移区上方设有载流子存储层,载流子存储层的上方设有P型基区;所述P型基区的上方设有P+发射区与N+发射区,P+发射区、N+发射区分别与发射极金属层电连接。本实用新型有效地降低米勒电容,提高IGBT开

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212342635 U (45)授权公告日 2021.01.12 (21)申请号 202021934492.9 (22)申请日 2020.09.07 (73)专利权人 珠海市浩辰半导体有限公司

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