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硅集成电路工艺基础
绪论：
单项工艺的分类：
1、图形转换：光刻、刻蚀
2、掺杂：扩散、离子注入
3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积
第 2 章 氧化
SiO 的作用：
2
1、在MOS 电路中作为MOS 器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分
2、作为集成电路的隔离介质材料
3、作为电容器的绝缘介质材料
4 、作为多层金属互连层之间的介质材料
5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料
6、扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si N 层一起使用)阻挡
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