一种倒装发光二极管芯片.pdfVIP

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2023-02-04 发布于四川
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一种倒装发光二极管芯片.pdf

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本实用新型实施例公开了一种倒装发光二极管芯片，包括：衬底层，位于所述倒装发光二极管芯片的底部；半导体层，位于所述衬底层的上方；扩展电极，位于所述半导体层的上方，并与所述半导体层电连接；以及反射绝缘层，位于所述扩展电极的上方，其中，所述扩展电极包括扩展电极弯折区。本实用新型实施例提供的倒装发光二极管芯片，有效避免了封装时顶针对扩展电极造成破坏，提高了倒装发光二极管芯片的封装可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212365983 U (45)授权公告日 2021.01.15 (21)申请号 202020775640.0 (22)申请日 2020.05.12 (73)专利权人杭州士兰明芯科技有限公司