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外延片.pdfVIP

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  • 2023-02-04 发布于四川
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外延片.pdf

    本申请公开外延片，属于GaN基HEMT外延片技术领域，其中外延片包括蓝宝石衬底层以及依次设置在所述蓝宝石衬底层上的AlN薄膜层、低温AlN层、高温AlN层、不掺杂GaN层、AlN层和AlGaN层，其中所述AlN层的厚度为1nm～2nm，其中所述AlGaN层的厚度为15nm～25nm。本申请提供的外延片及其生长方法能够有效提升GaN晶体质量，增加GaN表面的平整度，从而增强AlGaN和GaN间的极化效应和减少界面散射，达到增加二维电子气浓度和迁移率，实现降低导通电阻的目的。

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218414586 U (45)授权公告日 2023.01.31 (21)申请号 202222438844.7 C30B 25/18 (2006.01) (22)申请日 2022.09.

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