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ICP刻蚀SiC表面损伤的研究.doc

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    ICP刻蚀SiC表面损伤的研究 摘 要 刻蚀是SiC器件制备过程中的一项关键工艺。ICP刻蚀由于具有可同时提供较高的等离子体密度及独立的衬底偏压源控制的特点，在较低的衬底偏压下即可获得合适的刻蚀速率，从而可以获得较低的刻蚀损伤，因此ICP刻蚀在SiC器件制备中得到广泛的应用。本文采用CF4/O2作为刻蚀气体，研究了不同刻蚀参数下，ICP刻蚀SiC的刻蚀速率的变化。实验结果显示，在高ICP源功率、高偏压源功率及合适的O2含量下可以获得高的刻蚀速率。同时利用原子显微镜，对表面粗糙度

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