新型传感器c电荷耦合器件.pptxVIP

会计学;;;;;;精彩图片欣赏（8）; 第一节 CCD的物理基础 第二节 CCD工作原理 第三节 CCD器件 第四节 CCD的应用 ; 电荷耦合器件（Charge Coupled Device—CCD）是按照一定规律排列的 MOS电容器阵列组成的移位寄存器，在MOS电容器阵列加上输入、输出端，便构成了CCD。;具有以下一些特点：;一、稳态情况MOS结构的物理性质;VG ＞0。;在 n型p型之间仍是耗尽层。;MOS达到稳定状态。; 耗尽层的宽度保持其最大值不变。;反型层状态的定量分析;理论上，VGVth就使 MOS结构形成强反型状态， 实际中 ，还应考虑到所谓“平带电压”的存在。;二、非稳态情况MOS结构的物理性质;达热平衡之前，MOS结构中是空的电子势阱。从表面一直到体内较深处（称深耗尽）。;第二节 CCD的工作原理; 2、这种二相电极结构减少时钟脉冲相数，电路相对简单。;二、CCD的电荷转移; 2、二相CCD的电荷转移; 3、CCD的电荷输出;式中，gm为T1栅极与源极之间的跨导。; 4、CCD的特性参数; 4、CCD的特性参数;2、计算式：; 2、计算式： ;设电极下氧化层厚度 d＝1500nm， ?VG＝10V，?s =3.9, ?0＝8.85×10-2pF/cm、q=1.6×1019C、Ad＝