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非易失性存储器集成电路.pdfVIP

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  • 2023-02-07 发布于北京
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非易失性存储器集成电路.pdf

    本公开的实施例涉及非易失性存储器集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212392003 U (45)授权公告日 2021.01.22 (21)申请号 202020638963.5 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020

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