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- 2023-02-07 发布于四川
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本实用新型公开一种平面沟槽复合型功率MOSFET器件，其左P型基区和右P型基区各自上部远离N型中掺杂区的区域分别设置有左N型重掺杂源极区和右N型重掺杂源极区，从而在左P型基区和右P型基区各自上部靠近N型中掺杂区的区域形成P型凸起部，左P型基区和右P型基区的各自P型凸起部上方分别设置有左栅极层、右栅极层，左栅极层、右栅极层分别与P型凸起部之间通过二氧化硅层隔离，相邻MOS器件单胞之间具有一深沟槽，深沟槽的下端延伸至N型轻掺杂外延层的中部，此深沟槽内填充有一二氧化硅部。本实用新型平面沟槽复合型功率M
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218447922 U
(45)授权公告日 2023.02.03
(21)申请号 202222511006.8
(22)申请日 2022.09.20
(73)专利权人 苏州硅能半导体科技股份有限公
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