氮化铝半导体简介.pptxVIP

会计学;1.前言;半导体的结构与性质;AlN 的多种优异性能： 1.禁带宽度6.2eV, 并具有直接带隙,是重要的蓝光和紫外发光材料; 2.热导率高, 电阻率高, 击穿场强大, 介电系数小,是优异的高温、高频和大功率器件用电子材料; 3.沿c 轴取向的AlN 具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能, 是优异的声表面波器件用压电材料; 4.氮化铝晶体与氮化镓晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,是外延生长氮化镓基光电器件的优选衬底材料.;AlN与其他常用半导体材料特性对照表;单晶的生长;单晶的生长;（2）High nitrogen pressure solution growth（高氮气压溶液生长法） 当压力大于500MPa时，Al与N2的高温燃烧反应速率减慢，这是因为N2在高压条件下具有较高的热导率和较大的热容，导致燃烧反应过程中的热量损失增加；当压力大于650MPa时，燃烧反应被完全终止；此外，高压条件下N2的密度较大，有利于减少Al的蒸发和扩散； 基于上述机理，Bockowski等利用HNPSG法成功制得白色针状AlN单晶，直径1mm，长度10mm；实验方案：将N原子溶解到液态Al中，温度1800-2000K, N2压力2GPa；当溶液具有较高的过饱和度时，将得到纤锌矿结构的AlN单晶，但是过高的过饱和度将导致过高的生长速度，易得到中空针状结构的AlN单晶。;（3）H