原创力文档- 11
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- 2023-02-09 发布于北京
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本实用新型提供一种金属氧化物阵列基板，包括并排设置的主像素电极和副像素电极、与主像素电极电连接的第一漏极、与副像素电极电连接的第二漏极，以及栅极扫描线；栅极扫描线位于主像素电极和副像素电极的间隙内，第一漏极位于主像素电极和栅极扫描线之间，第二漏极位于副像素电极和栅极扫描线之间，并且第一漏极与第二漏极关于第一直线对称，第一直线与栅极扫描线的中心线重合。本实用新型提供一种金属氧化物阵列基板，栅极扫描线与第一漏极、第二漏极的重叠区域的面积的总和保持不变，使得栅极‑漏极寄生电容的大小能够保持不变，避免了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212412050 U
(45)授权公告日 2021.01.26
(21)申请号 202021500812.X
(22)申请日 2020.07.27
(73)专利权人 成
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