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功率半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-02-10 发布于四川
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功率半导体器件.pdf

    公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件的栅极导体分别位于沟槽上部的两侧，屏蔽导体位于栅极导体的下方区域，源极电极通过位于栅极导体之间的第二接触孔与屏蔽导体电连接，多个第二接触孔沿沟槽长度方向间隔设置，减小了屏蔽导体的寄生电阻，使得寄生电阻下降几十倍。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212434630 U (45)授权公告日 2021.01.29 (21)申请号 202020978443.9 (22)申请日 2020.06.02 (73)专利权人 杭

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