检测闪存位线之间漏电结构的制造方法及漏电检测方法.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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检测闪存位线之间漏电结构的制造方法及漏电检测方法.pdf

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本发明提供了一种检测闪存位线之间漏电结构的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成浅沟槽隔离结构与有源区，在所述有源区的上方形成隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层的上方形成浮栅，在所述浮栅上形成栅间介质层，以及控制栅；通过控制栅刻蚀，去除控制栅、栅间介质层和隧穿氧化层，漏出所述有源区，在所述有源区内形成位线；在所述有源区上方形成有源区与第一层金属的连接层，以及位于所述有源区与第一层金属的连接层上的第一层金属；在所述第一层金属上形成第一层金属与第二层金属的连接层，以及位于所述第一层金属与第二层金属的连

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111092024 A (43)申请公布日 2020.05.01 (21)申请号 20191