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本发明公开了一种载流子输运仿真方法、装置、介质及电子装置,本发明通过确定半导体器件中载流子输运的初始条件和/或边界条件,以及确定封闭量子模型对应的泊松方程和薛定谔方程;基于所述初始条件和/或所述边界条件、所述泊松方程和所述薛定谔方程确定所述半导体器件中的载流子密度,以实现所述半导体器件中载流子输运的仿真,进而实现对半导体器件中载流子输运的研究。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115700577 A
(43)申请公布日 2023.02.07
(21)申请号 202110868460.6
(22)申请日 2021.07.30
(71)申请人 合肥本源量子计算科
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