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本发明公开了基于十字交叉微米线构筑隧穿发光二极管及其制备方法，该隧穿发光二极管包括一石英衬底；两根不同Ga掺杂浓度ZnO微米线；用铟颗粒将交叉的两根不同Ga掺杂浓度氧化锌微米线固定在石英衬底上。两根微米线之间的I‑V特征曲线呈现明显Schottky接触特性，通过调节施加在两根微米线上的电压可以使得该器件的发光区局限于交叉区。通过光谱分析，发光峰位不同于两根微米线单独发光的峰位，并且通过改变实验条件可以控制交叉区发光峰位的移动。结合十字交叉区电子传输的特性分析：基于两根不同Ga掺杂浓度ZnO微米线
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111564535 A
(43)申请公布日
2020.08.21
(21)申请号 20201
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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