130-nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计.docxVIP

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2023-02-13 发布于江西
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130?nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计随着网络及通信技术的迅速发展，实时通信、定位导航等领域对航天器如卫星通信的依赖度越来越高，同时也对航天器中电路系统的稳定性和精确度提出了更高的要求。而地球周围复杂的空间辐射环境使得电路系统的可靠性逐渐成为航天技术进一步发展的瓶颈。绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator, SOI)器件与体硅器件相比，由于其埋氧层实现全介质隔离的特殊结构，其在空间抗辐射领域具备一定的先天优势[1-3]。另外，SOI互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)器件还具有寄生电容小、高