利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器.pdfVIP

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2023-02-13 发布于四川
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利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F-P磁场传感器.pdf

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本实用新型公开了一种利用双光子飞秒激光直写技术3D打印的F‑P磁场传感器，其特征在于包含单模光纤、毛细管和F‑P腔微结构；所述F‑P腔微结构与所述单模光纤的一端由3D打印直接打印连接，F‑P腔微结构的外围套设有毛细管，毛细管的两端密封形成密封腔体，密封腔体内充满磁流体；所述单模光纤的另一端通过光纤耦合器分别连接宽谱光源和光谱分析仪；其原理与传统的内部填充磁流体的光纤磁场传感器不同，通过在波导周围填充磁流体所产生的倏逝耦合效应，突破了磁流体高吸收性对传感器磁场灵敏度的限制，具有较高的磁场灵敏度；打

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212514973 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202020651005.1 B33Y 10/00 (2015.01)