1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种晶圆级真空封装的MEMS晶振.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约5.76千字
  • 约 7页
  • 2023-02-14 发布于四川
  • 举报

一种晶圆级真空封装的MEMS晶振.pdf

    本实用新型公开了一种晶圆级真空封装的MEMS晶振，包括保护盖和MEMS晶振主体，外绝缘层和内绝缘层均为一种绝缘漆材料制成的构件，提高保护盖的绝缘效果，外防腐层和内防腐层均为一种防腐漆材料制成的构件，提高保护盖的防腐效果，进一步提高保护盖的使用寿命，壳体为一种硅钢材料制成的构件，硅钢具有导磁率高、矫顽力低、电阻系数大等特性，进一步提高保护盖的绝缘效果，保护盖与MEMS晶振主体之间形成缓冲空腔，缓冲空腔呈梯形，在MEMS晶振受到外界冲压时，梯形的缓冲空腔使得保护盖在受到冲压时有一定的缓冲空间，降低M

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212532294 U (45)授权公告日 2021.02.12 (21)申请号 202020842154.6 (22)申请日 2020.05.20 (73)专利权人 加高电子（深圳）有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >